G-26D4型高精密单面光刻机

基本尺寸图

一、主要用途

本设备用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产，找平机构（三点找平）极为突出，找平力极小，这带来诸多显著效果：一是在基片曝光操作上适用性广泛，各类常规基片曝光时，本机均可稳定、沉稳应对，保障曝光工作顺利。其次，本机应对特殊基片时表现明显，如质地易碎的砷化钾、磷化铟基片，操作时不会被损坏就可完成曝光；对非圆形基片、小型基片这种特殊的、对精度要求高的基片，本机也能完成曝光，满足曝光需求。

LED曝光头及部件图

三点找平机构高精度X、Y、Z、Q 调节机构

二、主要性能指标

1、曝光类型：单面，接触式；

2、曝光面积：110×110mm；

3、曝光照度均匀性：≥97%（测量仪器：光强计；测量方法：逐点检测法）；

4、曝光强度：≤30mw/cm²：（测量仪器：光强计；测量方法：紫外线照度计测量。）；

5、紫外光束角：≤3˚；

6、紫外光中心波长：365nm（也可以配专用曝光头实现g线、h线、I线的组合）；

7、光源质保期：1年；

8、曝光分辨率：1μm；

9、曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光；

10、显微镜扫描范围：X： ±15mm   Y： ±15mm；

11、对准范围：X、Y：±3mm，Q：±3°；

12、套刻精度：1μm;(见后面附件1)；

13、分离量；0～50μm可调；

14、接触－分离漂移：≤1μm；

15、曝光方式：密着曝光，可实现硬接触、软接触和微力接触曝光；

16、找平方式：三点式自动找平；

17、显微系统：双视场CCD系统，显微镜91X～570X连续变倍（物镜1.6X-10X连续变倍），双物镜距离可调范围42mm～100mm，计算机图像处理系统，19″液晶监视器；

18、掩模版尺寸： 5″×5″；

19、基片尺寸：φ4″；

20、基片厚度：≤5 mm；因基片的厚度不同，制作承片台时需要进行分级处理，单独设计制作，1mm为一个等级(基片厚度:0-5mm可分为五个等级：0-1mm,1-2mm,2-3mm,3-4mm,4-5mm)其中：我公司随机配送厚度为0-1mm等级的承片台，若用户还需其余等级承片台（订货时用户须说明，费用另议）；

21、曝光定时：0～999.9秒可调；

22、对准方式：手动；

23、曝光头转位：气动；

24、设备所需能源：

电源：单相AC220V  50HZ ，功耗≤1.5KW；

洁净空气压力：≥0.4MPa；

真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；

25、尺寸和重量：

尺寸：机体1000 mm（长）×720 mm（宽）×1700mm（高），重量：≤200Kg；

26、G-26D4型光刻机的组成：

由主机（含机体和工作台），对准用单筒显微镜，LED鹰眼曝光头组成；

27、附件如下：

a. 主机附件：（出厂时安装到机器上）

5"□型掩版夹盘。

       用于Φ4"基片的真空夹持承片台。

b. 显微镜组成:

(1) 单筒显微镜二个;

(2) 两个CCD;

(3) 视频连接线;

(4) 计算机和19"液晶监视器;