G-25D4型高精密单面光刻机

基本尺寸图

一、设备概述：

本设备是乙方针对各高校及科研单位对光刻机的使用特性研发的一种精密光刻机，采用气浮找平技术可有效补偿片的楔形误差所产生的版片接触不良，使曝出的线条更优，减小因找平力过大而产生版的严重擦伤,它主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件的研制和生产。

LED曝光头及部件图

高精度X、Y、Q 调节机构

二、主要技术指标：

1、曝光类型：单面；

2、曝光面积：110×110mm；

3、曝光照度不均匀性：≤3%（测量仪器：光强计；测量方法：逐点检测法。）；

4、曝光强度：≤30mw/cm²；（测量仪器：光强计；测量方法：紫外线照度计测量。）；

5、紫外光束角：≤3˚；

6、紫外光中心波长：365nm；

7、光源质保期：2年；

8、采用电子快门；

9、曝光分辨率：1μm；

10、显微镜扫描范围：X： ±15mm   Y：±15mm；

11、对准范围：X、Y 调节 ±4mm；Q向调节±3°；

12、套刻精度：1μm(用户的“版”、“片”精度必须符合国家规定，环境、温度、湿度、尘埃能得到严格控制，采用进口正性光刻胶，且匀胶厚度能得到严格控制。)见后面附件1；

13、分离量：0～50μm可调；

14、曝光方式：密着曝光，可实现硬接触、软接触和微力接触曝光；

15、找平方式：气浮找平；

16、显微系统：双视场CCD系统，显微镜91X～570X连续变倍（物镜1.6X～10X连续变倍），双物镜距离可调范围50mm～120mm，计算机图像处理系统，19″液晶监视器；

17、掩模版尺寸：≤127×127mm；

18、基片尺寸：≤Φ100mm；

19、基片厚度：≤5 mm，因基片的厚度不同，制作承片台时需要进行分级处理，单独设计制作，1mm为一个等级(基片厚度:0-5mm可分为五个等级：0-1mm,1-2mm,2-3mm,3-4mm,4-5mm)其中：我公司随机配送厚度为0-1mm等级的承片台，若用户还需其余等级承片台（订货时用户须说明，费用另议）；

20、曝光定时：0～999.9秒可调；

21.设备所需能源：

主机电源： 220V±10%   50HZ，1.5KW

洁净空气≥0.4MPα

真空：-0.07～－0.08MPα

22、尺寸：机体1000 mm（长）×720 mm（宽）×1500mm（高），重量：≤200Kg；

23、G-25D4型高精密光刻机的组成：

由LED紫外曝光头、CCD显微显示系统、对准工作台、电气控制系统构成；

24、附件如下：

a.主机附件：（出厂时安装到机器上的标准配置，用户有特殊要求需订货时提出）

（1）127×127mm掩版夹盘

（2）Φ100mm承片台（标配）

b.显微镜组成

（1）单筒显微镜二个

（2）两个CCD

（3）视频连接线

（4）计算机和19"液晶监视器