G-26D6型高精密单面光刻机

基本尺寸图

一、设备概述:

本设备用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产，找平机构（三点找平）极为突出，找平力极小，这带来诸多显著效果：一是在基片曝光操作上适用性广泛，各类常规基片曝光时，本机均可稳定、沉稳应对，保障曝光工作顺利。其次，本机应对特殊基片时表现明显，如质地易碎的砷化钾、磷化铟基片，操作时不会被损坏就可完成曝光；对非圆形基片、小型基片这种特殊的、对精度要求高的基片，本机也能完成曝光，满足曝光需求。

LED曝光头及部件图

三点找平机构高精度X、Y、Z、Q 调节机构

二、主要技术指标：

1、曝光类型：单面；

2、曝光面积：Ф150mm；

3、曝光照度均匀性：≥97%（测量仪器：光强计；测量方法：逐点检测法）；

4、曝光强度：0～40mw/cm²可调，（测量仪器：光强计；测量方法：紫外线照度计测量）；

5、紫外光束角：≤3˚；

6、紫外光中心波长：365nm；

7、光源质保期：1年；

8、曝光分辨率：1μm；

9、曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光；

10、显微镜扫描范围：X：±15mm   Y：±15mm；

11、对准范围：X、Y ±3mm；Q ±3°；

12、套刻精度：1μm,(见后面附件1)；

13、分离量；0～100μm可数字设定；

14、接触－分离漂移：≤1μm；

15、曝光方式：密着曝光，可实现硬接触、软接触和微力接触曝光；

16、找平方式：三点式自动找平；

17、显微系统：双视场CCD系统，显微镜91X～570X连续变倍（物镜1.6X～10X连续变

倍），双物镜距离可调范围42mm～100mm，计算机图像处理系统，19″液晶监视器；

18、掩模版尺寸： 178×178mm（采用上放片模式）；

19、基片尺寸： ∅150mm；

20、基片厚度：≤5 mm（需分级，每级级差1mm）；

21、曝光定时：0～999.9秒可调；

22、对准精度：±0.5μm；

23、曝光头转位：气动；

24、设备所需能源：

电源：单相AC220V  50HZ ，功耗≤1KW；

洁净空气压力：≥0.4MPa；

真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；

25、尺寸和重量：

尺寸：机体1000 mm（长）×750 mm（宽）×1700mm（高）；

重量：≤200Kg；

26、光刻机的组成：

由主机（含机体和工作台），对准用单筒显微镜，LED曝光头组成；

27、附件如下：

a. 主机附件：（出厂时安装到机器上）

1) 178×178mm掩版夹盘；

2) 用于∅150mm基片的真空夹持承片台；

b．显微镜组成；

1) 高分辨率单筒显微镜一个；

2) 一个CCD；

3) 视频连接线；

4) 计算机和19"以上液晶监视器；