G-26D8型高精密单面光刻机

基本尺寸图

一、主要用途

本设备用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产，找平 机构（三点找平）极为突出，找平力极小，使得在基片曝光操作上适用性广泛，各类常规基片曝光时，本机均可稳定、沉稳应对，保障曝光工作顺利。其次，本机应对特殊基片时也表现明显，如质地易碎的砷化钾、磷化铟基片，操作时不会被损坏就可完成曝光；对非圆形基片、小型基片这种特殊的、对精度要求高的基片，本机也能完成曝光，满足曝光需求。

LED曝光头及部件图

三点找平机构高精度X、Y、Z、Q 调节机构

二、主要性能指标

1、曝光类型：单面，接触式；

2、曝光面积：Ф210mm；

3、光照均匀性：≥97%（8"圆片），光照均匀性：≥96%（8"方片）（测量仪器：光强计； 测量方法：逐点检测法）；

4、曝光强度：≤30mw/cm²；（测量仪器：光强计；测量方法：紫 外线照度计测量）；

5、平行半角范围：≤2.5°；

6、紫外光中心波长：365nm（也可以配专用曝光头实现g线、h线、I线的组合）；

7、光源质保期：1年；

8、曝光分辨率：3μm；

9、曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光；

10、显微镜扫描范围：X：±15mm Y：±15mm；

11、对准范围：X、Y±3mm；Q±3°；

12、套刻精度：3μm；

13、分离量；0～50μm 可调；

14、接触－分离漂移：≤±1μm；

15、曝光方式：密着曝光，可实现硬接触、软接触和微力接触曝光；

16、找平方式：三点式自动找平；

17、显微系统：双视场CCD系统，显微镜91X～570X连续变倍（物镜1.6X10X连续变倍），双物镜距离可调范围50mm～200mm，计算机图像处理系统，19″液晶监视器；

18、掩模板尺寸：9″×9″；

19、基片尺寸：φ8″；

20、基片厚度：≤5mm（需分级，级差1mm）；

21、曝光定时：0～999.9秒可调；

22、对准精度：±1μm；

23、设备所需能源：电源：单相 AC220V 50HZ ，功耗≤1.5KW； 洁净空气压力：≥0.4MPa； 真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；

24、尺寸和重量： 尺寸：机体 1300 mm（长）×750 mm（宽）×1700mm（高）。 重量：≤260Kg；

25、G-26D8 型光刻机的组成： 由主机（含机体和工作台），对准用单筒显微镜，LED 曝光头组成；

26、附件如下：

a. 主机附件：（出厂时安装到机器上）

1) 9"□型掩版夹盘。

2) 用于Φ8"基片的真空夹持承片台。

b．显微镜组成；

(1) 高分辨率单筒显微镜一个；

(2) 一个CCD；

(3) 视频连接线；

(4) 计算机和19"以上液晶监视器；