G-30D4型高精密单面光刻机

一、设备概述:

本设备为我公司专门针对各大、中、小型企业的使用特性而研发的一种高精密双面光刻机，它主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产,它具有生产效率高、结构简单、操作维护方便等优势，本机不仅适合4英寸以下各型基片的曝光，也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光以及非圆形基片和小型基片的曝光。 主要由防震工作台、LED专用曝光头、气动系统、电气控制系统、真空管路系统、直联式真空泵及附件箱等组成。

曝光头及部件图

二、主要技术指标

1、曝光类型：接触式，双面，一次同时曝光(配置4″LED专用曝光头)；

2、曝光面积：110×110mm；

3、曝光不均匀性：≤3%；

4、曝光强度：0～30mw/cm²可调；

5、紫外光束角：≤3°；

6、紫外光中心波长：365nm；

7、紫外光源寿命：≥2万小时；

8、工作面温度：≤30℃；

9、采用电子快门；

10、曝光分辨率：2μm(曝光深度为线宽的10倍左右)；

11、曝光方式：接触式曝光；

12、掩模版尺寸：≤127×127mm；

13、基片尺寸：≤ Φ100mm;

14、基片厚度：≤5 mm；

15、曝光定时：0～999.9秒可调；