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G-31B4型高精密双面光刻机

一、主要用途主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。二、主要…

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G-31B4型高精密双面光刻机


一、主要用途: 

主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。

二、主要性能指标:

1.曝光类型:接触式、版片对准单面曝光;  

2.曝光面积:φ100mm;   

3.曝光不均匀性:≤3%;   

4.曝光强度:≥5mw/cm2;  

5.曝光分辨率:2μm;    

6.曝光模式:单面曝光;

7.对准范围:X:±5mm Y:±5mm;    

8.套刻精度:2μm;

9.旋转范围:Q向旋转调节≤±5°;

10.显微系统:双视场CCD系统,物镜1.6X~10X,计算机图像处理系统,19″液晶监视器;    

11.掩模版尺寸:能真空吸附127×127 mm方形掩板,对版的厚度无特殊要求(1~3mm皆可);

12.基片尺寸:适用于φ100mm圆形基片,基片厚度≤1mm;

13.曝光:

(1)光源采用GCQ350型高压球形汞灯;

(2)照明范围:≤φ117mm;

(3)光的不均匀性:φ100mm范围内:±3%;

(4)可使用的波长:G线、H线、I线的组合;(即3500-5000埃);

(5)成像面照明:使用UV-A型表测量,光照度≤5毫瓦/厘米2左右(采用365°测头测量);

14.采用进口(SMC)时间继电器(该继电器可从0.1秒-999.9秒内任意设定)控制“真空快门”,动作准确可靠;

15.该机为双面接触式曝光机,该机特制的翻版机构,能消除基片楔形误差,掩膜版对基片良好的接触,从而提升基片的曝光质量;

16.分辨率估量:如果用户的“版”、“片”精度符合国家规定、环境、温度、湿度以及房间净化得到严格控制,采用进口“正性”光刻胶,且匀胶厚度和均匀度也得到严格控制的话,本机曝光..小分辨可达0.002mm,建议使用在≥0.003mm以上;

17.对准:

A、 四个单视场变倍显微镜加四个CCD摄像机加19"监视器;

1)四个单视场变倍显微镜的变倍范围1.6X-10X;

2)四个CCD摄像头:平面对角线尺为1/3";

3)采用19"液晶监视器,其数字放大倍率为19÷1/3=57倍;

观察系统放大倍数为:1.6×57≈91倍(小倍数),10×57≈570倍(大倍数);

B、对准台

1)该装置装入 127×127 mm板架,对版进行真空吸附;

2)该装置安装在机座上,能作翻转运动,相对于承片台而言作上下翻转运动,以便于版的安装和片的翻面;

3)该装置能来回反复翻转,回到承片台上平面的位置时,重复精度为≤±1.5µ;

4)该装置具有补偿基片楔形误差之功能,让版与片上平面之良好接触,以便提高曝光质量;

C、承片台调整装置:

配备有Φ100 mm承片台一个,这种承片台有二个长方孔,下面二个CCD通过该孔能观察到版或片的下平面;

承片台能作X、Y、Z、θ运动,X、Y、Z可作±4mm运动,θ运动为±5°;

承片台密着环相对于版,能实现“真空密着”。


【全文完】

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