G-31B6型高精密双面光刻机

一、设备概述

本设备广泛用于各大、中、小型企业、各大院校、科研单位，它主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。

CCD显微系统|X、Y、Q对准工作台

二、主要性能指标

1、工作台行程(X向、Y向/Z向/θ向）：±5mm/10mm/±5°；

2、适用基片尺寸: ≤6英寸；

3、掩模版尺寸：≤ 7″（175×175 mm）；

4、对准精度（正面对准/背面对准）:±2um/±3um；

5、放大倍率:51×～570×(ccd连续)；

6、曝光光源:UV365，500W高压汞灯；

7、曝光面积:φ160mm；

8、曝光分辨率:2 um（胶厚≤1 um，正胶、真空接触）；

9、曝光强度:≥ 5mW/cm²；

10、曝光不均匀性：≤5%；

11、曝光时间:0～999.9s；