G-33B4型高精密双面光刻机

一、设备概述

本设备广泛用于各大、中、小型企业、大专院校、科研单位，主要用于集成电路、半导体元器件、光电子器件、光学器件研制和生产,由于本机找平机构:(三点找平）极为突出，找平力小，使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光, 这是一台双面对准单面曝光的光刻机,它不仅能完成普通光刻机的任何工作,同时还是一台检查双面对准精度的检查仪。

二、主要性能指标

1，采用350W直流球形汞灯；

2，曝光面积：110mm×110mm；

3，曝光强度：5mw/cm²；

4，曝光不均匀性：≤3%；

5，曝光时间采用0～999.9秒（日本OMRON生产）时间继电器控制；

6，套刻精度：1μm；

7，观察系统为上下各两个无级变倍、高分辨率单筒显微镜上装四个CCD摄像头通过视屏线连接计算机到19″高清液晶显视屏上；

a、单筒显微镜为1.6X～10X连续变倍显微镜；

b、CCD摄像机靶面对角线尺寸为：1/3″；

c、采用19″液晶监视器，其数字放大倍率为19÷1/3=57倍；

d、观察系统放大倍数为：1.6×57=91倍（小倍数）；

               10×57=570倍（大倍数）；