G-33E6型高精密双面光刻机

一、设备概述

本设备广泛用于各大、中、小型企业、大专院校、科研单位，主要用于集成电路、半导体元器件、光电子器件、光学器件研制和生产,由于本机找平机构(三点找平）极为突出，找平力小，使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光, 这是一台双面对准单面曝光的光刻机,它不仅能完成普通光刻机的任何工作,同时还是一台检查双面对准精度的检查仪。

二、设备主要构成

主要由高精度对准工作台、双目分离视场立式显微镜或双目分离视场卧式显微镜、数字式摄像头、计算机成象记忆系统、6″高均匀性蝇眼专用曝光头。

三、主要性能指标

1、曝光类型：双面对准单面曝光；

2、曝光面积：≥150×150mm；

3、曝光强度：≥5mw/cm²；

4、曝光照度均匀性：≥97%（∅100mm）；≥96%（∅150mm）；光束角：≤3˚（测量仪器：光强计；测量方法：逐点检测法）；

5、紫外光源：350W高压球形汞灯

6、曝光模式：可以正反对准，正面套刻曝光；

7、曝光方式：密着曝光；

8、曝光分辨率：≤1μm；（所需条件见后面附件1）；

9、对准范围：X、Y±3mm；Q±3°，Q转调节精度≤0.05°，对准精度：正面≤1μm；反面≤3μm；

10、载物台x,y平面移动精度≤1um；

11、对准方式：手动；

12、接触－分离漂移：≤1μm；分离量；0～50μm可调；

13、具有三点自动找平功能，找平精度≤3um；

14、显微系统：

1) 正面对准采用双视场CCD立式显微镜，总放大倍数观察系统放大倍数为： 1.6×57=91 倍（小倍数），10×57=570 倍（大倍数），连续调节，双物镜可调距离50mm～120mm；

2) 反面对准采用双视场CCD卧式显微镜。总放大倍数为57-400倍连续变焦，显微镜调整范围: X、Y、Z，通过千分尺实现X、Y、Z移动；

15、配置掩模版架： 7″×7″一套；（可以根据用户需要定制）；

16、配置基片载物台：∅150mm一套；（可以根据用户需要定制）；

17、配有无油静音真空泵；

18、尺寸和重量：

尺寸：机体1300 mm（长）×750 mm（宽）×1900mm（高）。

重量：≤400Kg。

19、G-33E6 型光刻机的组成：

由主机（含机体和工作台），对准用单筒显微镜，LED紫外曝光头组成。