G-33E4型高精密双面光刻机

一、设备概述

本设备广泛用于各大、中、小型企业、大专院校、科研单位，主要用于集成电路、半导体元器件、光电子器件、光学器件研制和生产,由于本机找平机构，找平力小，使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光, 这是一台双面对准单面曝光的光刻机,它不仅能完成普通光刻机的任何工作,同时还是一台检查双面对准精度的检查仪。

主要构成

曝光头及部件图

二、主要性能指标

（1）高均匀蝇眼曝光头。

a.曝光类型：双面对准单面曝光；

b.曝光面积：110mm×110mm；

c.曝光强度：≥5mW/cm²汞灯（进口）；

d.光源平行性：≤3.5°；

e.曝光不均匀性：≤3%；

f.套刻精度：正面1μm；反面3μm；

（2）观察系统为上下各两个无级变倍、高分辨率单筒显微镜上装四个CCD摄像头通过视屏线连接计算机到19″高清液晶显视屏上。

a. 单筒显微镜为1.6X～10X连续变倍显微镜；

b. CCD摄像机靶面对角线尺寸为：1/3″；

c. 采用19″液晶监视器，其数字放大倍率为19÷1/3=57倍；

d. 观察系统放大倍数为：1.6×57=91倍（小倍数）；

         10×57=570倍（大倍数）；