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G-26D12型高精密单面光刻机

一、主要用途:本设备是乙方专门针对各大专院校及科研单位对光刻机的使用特性研发的一种精密光刻机,它主要用于中小规模集成电路、…

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一、主要用途:

本设备是乙方专门针对各大专院校及科研单位对光刻机的使用特性研发的一种精密光刻机,它主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件的研制和生产。


二、 主要性能指标

1、曝光类型:单面;

2、曝光面积(有效面积):φ310mm;

3、曝光照度均匀性:≥ 96%;

4、曝光强度:0~30mw/cm2可调;

5、紫外光束角:≤3˚;

6、紫外光中心波长:365nm;

7、紫外光源寿命:2年;

8、曝光分辨率:2μm;

9、曝光模式:可选择一次曝光或套刻曝光;

10、显微镜移动范围:X:±50mm   Y:±100mm;

11、对准范围:X、Y±3mm;Q±3°;

12、套刻精度:2μm;

13、分离量;0~50μm可调;

14、接触-分离漂移:≤2μm;

15、曝光方式:密着曝光,可实现硬接触、软接触和微力接触曝光;

16、找平方式:三点式自动找平; 8英寸wafer;

17、显微系统:双视场CCD系统,显微镜91X~570X连续变倍(物镜1.6X~10X连续变倍),双物镜距离可调范围50mm~120mm,计算机图像处理系统,19″液晶监视器;计算机图像处理系统,19″以上液晶监视器;CCD用HMDI端口;

18、掩膜板尺寸: 355.6mm×355.6mm(12英寸wafer对应版);228.6mm×228.6mm(8英寸wafer对应版);

19、基片尺寸:φ304.8mm;

20、基片厚度:12英寸厚度775±20um;8英寸厚度725±20um;

21、曝光定时:0~999.9秒可调;

22、对准精度:±1μm;

23、曝光头移动:电动;

24、电源:单相AC220V  50HZ ,功耗≤3KW;

25、洁净空气压力:≥0.4MPa;

26、真空度:-0.07MPa~-0.09MPa;

27、G-26D12型光刻机的组成:

由主机(含机体和工作台),对准用单筒显微镜,高均匀性曝光头组成。

28、附件如下:

a.主机附件:

1)掩膜版板架,按上面第18提供。

2)真空夹持承片台,按以上提供。

b.显微镜组成

1)高分辨率单筒显微镜二个。

2)二个CCD。

3)视频连接线。

4)计算机和19"液晶监视器。


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