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G-30D4型高精密单面光刻机

一、 主要用途:本设备是我公司专门针对各生产单位对光刻机的使用特性研发的一种精密光刻机,它主要用于中小规模集成电路、半导体元…

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G-30D4型高精密单面光刻机

产品介绍:

设备概述:

本设备为我公司专门针对各大、中、小型企业的使用特性而研发的一种高精密双面光刻机,它主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产,它具有生产效率高、结构简单、操作维护方便等优势,本机不仅适合4英寸以下各型基片的曝光,也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光以及非圆形基片和小型基片的曝光。

主要构成


主要由防震工作台、4英寸LED专用曝光头、气动系统、电气控制系统、真空管路系统、直联式真空泵及附件箱等组成。

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曝光头及部件图

主要功能特点

1. 适用范围


适用于Φ100mm以下,厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)双面一次曝光。


2. 结构先进


本设备配置有可实现真空硬接触、软接触、微力接触的真空密着机构;具

有真空掩膜版架、真空片吸盘。


3. 操作简便


本设备操作简单,调试、维护、修理等都非常简便。


4. 设备运行稳定、可靠


采用进口电磁阀、按钮、定时器;采用独特的气动系统、真空管路系统和精密的机械

零件,使本机具有非常高的可靠性。


5. 特设功能


除标准承片台外,还可以为用户定制专用承片台,来解决非圆形基片、碎片和底面不平 的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题

主要技术指标

1、曝光类型:双面,一次同时曝光(配置4LED专用曝光头)

2、曝光面积:110×110mm

3、曝光照度不均匀性:≤±3%

4、曝光强度:030mw/cm2可调;

5、紫外光束角:≤3?

6、紫外光中心波长:365nm

7、紫外光源寿命:≥2万小时;

8、工作面温度:≤30

9、采用电子快门;

10、曝光分辨率:2μm(曝光深度为线宽的10倍左右)

11、曝光方式:接触式曝光

12、掩模版尺寸:≤127×127mm

13、基片尺寸:≤ Φ100mm;

14、基片厚度:≤5 mm

15、曝光定时:0999.9秒可调;



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