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G-31B6型高精密双面光刻机

一、主要用途主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。二、设备…

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G-31B6型高精密光刻机

产品介绍:

设备概述

本设备广泛用于各大、中、小型企业、大专院校、科研单位,它主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。

主要构成

本设备为板板对准双面曝光

主要由双目视场CCD显微显示系统、二台高均匀性超高压汞灯曝光头、PLC电控系统、高精度对准工作台、Z轴升降机构、真空管路系统、气路系统、直联式真空泵、二级防震工作台等组成。


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曝光头部件图

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CCD显微系统|XYQ对准工作台

主要功能特点

1.适用范围广
适用于φ160mm以下厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光,双面可同时曝光,亦可用于单面曝光。

2.结构先进
Z
轴采用滚珠直进式导轨和可实现硬接触、软接触、微力接触的真空密着机构,真空吸版,防粘片机构。

3.操作简便
X\Y
移动、Q转、Z轴升降采用手动方式;
吸版、反吹采用按钮方式,操作、调试、维护、修理都非常简便。

 4. 可靠性高
采用进口(日本产)电磁阀、按钮、定时器;采用独特的气动系统、真空管路系统和

精密的机械零件,使本机运行具有非常高的可靠性。
5.
特设功能
除标准承片台外,还可以为用户定制专用承片台,来解决非圆形基片、碎片和底面

不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题

主要技术指标

1、工作台行程(X向、Y/Z/θ向):±5mm/10mm/±5°;

2、适用基片尺寸: 6英寸;

3、掩模版尺寸:≤ 7″(175×175 mm);

4、对准精度(正面对准/背面对准):±2um/±3um

5、放大倍率:51×~570×(ccd连续)

6、曝光光源:UV365500W超高压汞灯;

7、曝光面积:φ160mm

8、曝光分辨率:2 um(胶厚≤1 um,正胶、真空接触);

9、光强 : 5mW/cm2

10、曝光不均匀性:±5%

11、曝光时间:0999.9s




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