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G-31D4型高精密双面光刻机

G-31D4型高精密光刻机 产品介绍:设备概述 本设备广泛用于各大、中、小型企业、大专院校、科研单位,它主要用于中小规模…

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G-31D4型高精密光刻机

产品介绍:

设备概述

本设备广泛用于各大、中、小型企业、大专院校、科研单位,它主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。

主要构成

本设备为板板对准双面曝光

主要由双目视场CCD显微显示系统、二台4"LED专用曝光头、PLC电控系统、高精度对准工作台、Z轴升降机构、真空管路系统、气路系统、直联式真空泵、二级防震工作台等组成。

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曝光头部件图

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CCD显微系统|XYQ对准工作台

主要功能特点

1.适用范围广
适用于φ100mm以下厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光,双面可同时曝光,亦可用于单面曝光。

2.结构先进
Z
轴采用滚珠直进式导轨和可实现硬接触、软接触、微力接触的真空密着机构,真空吸版,防粘片机构。

3.操作简便
X\Y
移动、Q转、Z轴升降采用手动方式;
吸版、反吹采用按钮方式,操作、调试、维护、修理都非常简便。

 4. 可靠性高
采用进口(日本产)电磁阀、按钮、定时器;采用独特的气动系统、真空管路系统和

精密的机械零件,使本机运行具有非常高的可靠性。
5.
特设功能
除标准承片台外,还可以为用户定制专用承片台,来解决非圆形基片、碎片和底面

不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题

主要技术指标

1曝光类型:版版对准双面曝光

2、曝光面积:110×110mm

3、曝光照度不均匀性:≤±3%

4、曝光强度:030mw/cm2可调;

5、紫外光束角:≤3?

6、紫外光中心波长:365nm

7、紫外光源寿命:≥2万小时;

8、工作面温度:≤30℃


9、采用电子快门;


10、曝光分辨率:1μm(曝光深度为线宽的10倍左右)


11、曝光模式:双面同时曝光

12、对准范围:X:±5mm Y:±5mm

13、套刻精度:1μm


14、旋转范围:Q向旋转调节≤±5°


15、显微系统:双视场CCD系统,物镜1.6X~10X,计算机图像处理系统,19″液晶监视器;


16、掩模版尺寸:能真空吸附4"方形掩板,对版的厚度无特殊要求(1~3mm皆可)。


17、基片尺寸:适用于Φ3"mm圆形基片(或3"×3"mm方形基片),基片厚度≤5mm。


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